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ALD1101APAL
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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ALD1101APAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP


Fabricante: Advanced Linear Devices, Inc.

Datasheet: ALD1101APAL

Preço:

USD $6.95

Estoque: 52 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Embalagem
Tube
Recurso FET
Standard
Status da peça
Active
Poder - Max
500mW
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 10µA
Temperatura de operação
0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75Ohm @ 5V
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Drenar para tensão de origem (Vdss)
10.6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 5V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-

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