AO4435L_101

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Vgs (Max)

±25V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-SOIC

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 20V