AOB418L

Parâmetro do produto

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Série

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±12V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Dissipação de energia (Max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-263 (D²Pak)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

100V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 50V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

9.5A (Ta), 105A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V