AOD9N50

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

860mOhm @ 4.5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

178W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-252, (D-Pak)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

500V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V