AOH3110

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

2.9V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 900mA, 10V

Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

SOT-223

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

100V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 50V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V