AON1605_001

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Bulk

Vgs (Max)

±8V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

3-UFDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

710mOhm @ 400mA, 4.5V

Dissipação de energia (Max)

900mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

3-DFN (1.0 x 0.60)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

750nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

700mA (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V