AON6280

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Dissipação de energia (Max)

7.3W (Ta), 83W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-DFN (5x6)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

80V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3930pF @ 40V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

17A (Ta), 85A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V