AON6362

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Dissipação de energia (Max)

6.2W (Ta), 31W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-DFN (5x6)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

27A (Ta), 60A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V