AONR21357

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±25V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-PowerVDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Dissipação de energia (Max)

5W (Ta), 30W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-DFN-EP (3x3)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 15V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

21A (Ta), 34A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V