AOTF11S60

Parâmetro do produto

---

Série

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Dissipação de energia (Max)

38W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-220-3F

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

600V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V