AOW11S65

Parâmetro do produto

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Série

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Not For New Designs

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

399mOhm @ 5.5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

198W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-262

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

650V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 100V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V