AOWF10N60

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

25W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-262F

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

600V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V