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CWDM3011N TR13
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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CWDM3011N TR13

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC


Fabricante: Central Semiconductor Corp

Datasheet: CWDM3011N TR13

Preço:

USD $0.13

Estoque: 2490 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Digi-Reel®
Vgs (Max)
20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max)
2.5W (Ta)
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 5V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 15V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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