EPC2031

Parâmetro do produto

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Série

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

Die

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 15mA

Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 30A, 5V

Pacote de dispositivo de fornecedor

Die

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

31A (Ta)