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GP1M004A090H
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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GP1M004A090H

MOSFET N-CH 900V 4A TO220


Fabricante: Global Power Technologies Group

Datasheet: GP1M004A090H

Preço:

USD $0.81

Estoque: 74 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Obsolete
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)
123W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
900V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
955pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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