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GP2M002A060PG
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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GP2M002A060PG

MOSFET N-CH 600V 2A


Fabricante: Global Power Technologies Group

Datasheet: GP2M002A060PG

Preço:

USD $0.35

Estoque: 74 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Obsolete
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)
52.1W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
600V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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