IXBX75N170

Parâmetro do produto

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Série

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Embalagem

Tube

Tipo de entrada

Standard

Carga do Portão

350nC

Status da peça

Active

Poder - Max

1040W

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-247-3

Condição de teste

-

Número da peça base

IXB*75N170

Energia de comutação

-

Td (ligado/desligado) @ 25°C

-

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Pacote de dispositivo de fornecedor

PLUS247™-3

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Tempo de recuperação reversa (trr)

1.5µs

Corrente - Coletor (Ic) (Max)

200A

Corrente - Coletor Pulsado (Icm)

580A

Tensão - Divisão do Emissor de Coletores (Max)

1700V