IXFT10N100

Parâmetro do produto

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Série

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-268

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

1000V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V