MMIX1F160N30T

Parâmetro do produto

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Série

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

24-PowerSMD, 21 Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 60A, 10V

Dissipação de energia (Max)

570W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

24-SMPD

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

300V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

102A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V