64-9146

Parâmetro do produto

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Série

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±12V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

DirectFET™ Isometric MT

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Dissipação de energia (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

DIRECTFET™ MT

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6580pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

32A (Ta), 180A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V