SPN02N60C3

Parâmetro do produto

---

Série

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.1A, 10V

Dissipação de energia (Max)

1.8W (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

PG-SOT223-4

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

650V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

400mA (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V