SPU11N10

Parâmetro do produto

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Série

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Dissipação de energia (Max)

50W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

P-TO251-3-1

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

100V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

10.5A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V