PH3120L,115

Parâmetro do produto

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Série

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

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Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 25A, 10V

Dissipação de energia (Max)

62.5W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

LFPAK56, Power-SO8

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4457pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

100A (Tc)