BS170-D26Z

Parâmetro do produto

---

Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Número da peça base

BS170

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Dissipação de energia (Max)

830mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-92-3

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

500mA (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V