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HGTD1N120BNS9A
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA


Fabricante: ON Semiconductor

Datasheet: HGTD1N120BNS9A

Preço:

USD $0.1

Estoque: 5344 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo IGBT
NPT
Embalagem
Digi-Reel®
Tipo de entrada
Standard
Carga do Portão
14nC
Status da peça
Active
Poder - Max
60W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste
960V, 1A, 82Ohm, 15V
Número da peça base
HGTD1N120
Energia de comutação
70µJ (on), 90µJ (off)
Td (ligado/desligado) @ 25°C
15ns/67ns
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 1A
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
5.3A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
6A
Tensão - Divisão do Emissor de Coletores (Max)
1200V

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