IRLM110ATF

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 750mA, 5V

Dissipação de energia (Max)

2.2W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

SOT-223-4

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

100V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

5V