MCH5839-TL-H

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±10V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

Schottky Diode (Isolated)

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

266mOhm @ 750mA, 4.5V

Dissipação de energia (Max)

800mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

5-MCPH

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1.5A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V