NCP5111DR2G

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo de portão

IGBT, N-Channel MOSFET

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tipo de entrada

Non-Inverting

Status da peça

Active

Tipo de canal

Synchronous

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número da peça base

NCP5111

Tensão - Fornecimento

10V ~ 20V

Número de motoristas

2

Configuração acionada

Half-Bridge

Temperatura de operação

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tempo de ascensão / queda (digitação)

85ns, 35ns

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-SOIC

Tensão Lógica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Tensão lateral alta - Max (Bootstrap)

600V

Corrente - Saída de pico (Fonte, Pia)

250mA, 500mA