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NSBA113EDXV6T1G
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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NSBA113EDXV6T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563


Fabricante: ON Semiconductor

Datasheet: NSBA113EDXV6T1G

Preço:

USD $0.1

Estoque: 25 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Poder - Max
250mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1)
1kOhms
Frequência - Transição
-
Pacote de dispositivo de fornecedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base do Emissor (R2)
1kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
100mA
Corrente - Corte de coletor (Max)
500nA
GANHO ATUAL DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Tensão - Divisão do Emissor de Coletores (Max)
50V

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