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NTJD1155LT1G
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363


Fabricante: ON Semiconductor

Datasheet: NTJD1155LT1G

Preço:

USD $0.91

Estoque: 53196 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N and P-Channel
Embalagem
Digi-Reel®
Recurso FET
Standard
Status da peça
Active
Poder - Max
400mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número da peça base
NTJD1155
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Pacote de dispositivo de fornecedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Drenar para tensão de origem (Vdss)
8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.3A

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