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BS2101F-E2
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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BS2101F-E2

600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID


Fabricante: ROHM Semiconductor

Datasheet: BS2101F-E2

Preço:

USD $0.38

Estoque: 2355 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo de portão
IGBT, N-Channel MOSFET
Embalagem
Digi-Reel®
Tipo de entrada
Non-Inverting
Status da peça
Active
Tipo de canal
Synchronous
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensão - Fornecimento
10V ~ 18V
Número de motoristas
2
Configuração acionada
High-Side or Low-Side
Temperatura de operação
-40°C ~ 125°C (TA)
Tempo de ascensão / queda (digitação)
60ns, 20ns
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-SOP
Tensão Lógica - VIL, VIH
1V, 2.6V
Tensão lateral alta - Max (Bootstrap)
600V
Corrente - Saída de pico (Fonte, Pia)
60mA, 130mA

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