EM6M1T2R — As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

Fabricante: ROHM Semiconductor

Datasheet: EM6M1T2R

Preço:

USD $0.7

Estoque: 39021 pcs

Parâmetro do produto

Série

-

Tipo FET

N and P-Channel

Embalagem

Digi-Reel®

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Not For New Designs

Poder - Max

150mW

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

SOT-563, SOT-666

Número da peça base

6M1

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Pacote de dispositivo de fornecedor

EMT6

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V, 20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 5V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

100mA, 200mA

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