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2SK1859-E
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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2SK1859-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P


Fabricante: Renesas Electronics America

Datasheet: 2SK1859-E

Preço:

USD $0.18

Estoque: 61 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max)
60W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-3P
Drenar para tensão de origem (Vdss)
900V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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