HAT2172H-EL-E

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Dissipação de energia (Max)

20W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

LFPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

40V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2420pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

30A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V