HAT2299WP-EL-E

Parâmetro do produto

---

Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-PowerWDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 7A, 10V

Dissipação de energia (Max)

25W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-WPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

150V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

14A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V