NP109N055PUJ-E1B-AY

Parâmetro do produto

---

Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de operação

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 55A, 10V

Dissipação de energia (Max)

1.8W (Ta), 220W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-263

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

55V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10350pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

110A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V