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NP160N04TDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 160A TO-263


Fabricante: Renesas Electronics America

Datasheet: NP160N04TDG-E1-AY

Preço:

USD $0.35

Estoque: 12 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Obsolete
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
40V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
15750pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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