NP50P03YDG-E1-AY

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Temperatura de operação

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 25A, 10V

Dissipação de energia (Max)

1W (Ta), 102W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-HSON

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V