NP89N04NUK-S18-AY

Parâmetro do produto

---

Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de operação

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Dissipação de energia (Max)

1.8W (Ta), 147W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-262

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

40V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V