RJK4532DPD-00#J2

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 2A, 10V

Dissipação de energia (Max)

40.3W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

MP-3A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

450V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V