RJK5006DPD-WS#J2

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Temperatura de operação

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Dissipação de energia (Max)

65W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

MP-3A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

500V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V