RQJ0303PGDQA#H6

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

+10V, -20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1.6A, 10V

Dissipação de energia (Max)

800mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

3-MPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

3.3A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V