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UPA2825T1S-E2-AT
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON


Fabricante: Renesas Electronics America

Datasheet: UPA2825T1S-E2-AT

Preço:

USD $0.45

Estoque: 23 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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