STD50NH02L-1

Parâmetro do produto

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Série

STripFET™ III

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número da peça base

STD50N

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Dissipação de energia (Max)

60W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

I-PAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

24V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V