STD60NF06T4

Parâmetro do produto

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Série

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Número da peça base

STD60N

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 10V

Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

DPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V