STY112N65M5

Parâmetro do produto

---

Série

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±25V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-247-3

Número da peça base

STY112

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 47A, 10V

Dissipação de energia (Max)

625W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

MAX247™

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

650V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

16870pF @ 100V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

96A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V