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ES2J M4G
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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ES2J M4G

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA


Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: ES2J M4G

Preço:

USD $0.12

Estoque: 91 pcs

Parâmetro do produto

Velocidade
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Série
-
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo
Standard
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
DO-214AA, SMB
Capacitância @ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivo de fornecedor
DO-214AA (SMB)
Tempo de recuperação reversa (trr)
35ns
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr
10µA @ 600V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Corrente - Média Retificada (Io)
2A
Temperatura de operação - Junção
-55°C ~ 150°C
Tensão - Para a frente (Vf) (Max) @ Se
1.7V @ 2A

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