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ES3J M6G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: ES3J M6G

Preço:

USD $0.09

Estoque: 80 pcs

Parâmetro do produto

Velocidade

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Série

-

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tipo de diodo

Standard

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

DO-214AB, SMC

Capacitância @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Pacote de dispositivo de fornecedor

DO-214AB (SMC)

Tempo de recuperação reversa (trr)

35ns

Corrente - Vazamento Reverso @ Vr

10µA @ 600V

Tensão - DC Reverse (Vr) (Max)

600V

Corrente - Média Retificada (Io)

3A

Temperatura de operação - Junção

-55°C ~ 150°C

Tensão - Para a frente (Vf) (Max) @ Se

1.7V @ 3A

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