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S4B V6G

DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: S4B V6G

Preço:

USD $0.1

Estoque: 29 pcs

Parâmetro do produto

Velocidade

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Série

-

Tipo de diodo

Standard

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

DO-214AB, SMC

Capacitância @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Pacote de dispositivo de fornecedor

DO-214AB (SMC)

Tempo de recuperação reversa (trr)

1.5µs

Corrente - Vazamento Reverso @ Vr

100µA @ 100V

Tensão - DC Reverse (Vr) (Max)

100V

Corrente - Média Retificada (Io)

4A

Temperatura de operação - Junção

-55°C ~ 150°C

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