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TSP10H200S S1G
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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TSP10H200S S1G

DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A


Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Datasheet: TSP10H200S S1G

Preço:

USD $0.69

Estoque: 9209 pcs

Parâmetro do produto

Velocidade
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Série
-
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tipo de diodo
Schottky
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-277, 3-PowerDFN
Capacitância @ Vr, F
-
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-277A (SMPC)
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr
100µA @ 200V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max)
200V
Corrente - Média Retificada (Io)
10A
Temperatura de operação - Junção
-55°C ~ 150°C
Tensão - Para a frente (Vf) (Max) @ Se
910mV @ 10A

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